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GigaMOS TM
Power MOSFET
(Electrically Isolated Tab)
IXFR230N20T
V DSS =
I D25 =
R DS(on) ≤
t rr ≤
200V
156A
8.0m Ω
200ns
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
ISOPLUS247
E153432
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C, R GS = 1M Ω
200
200
V
V
V GSS
V GSM
I D25
I DM
I A
E AS
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
± 20
± 30
156
630
100
3
V
V
A
A
A
J
G
D
S
G = Gate
S = Source
D
Isolated Tab
= Drain
dv/dt
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 175°C
20
V/ns
P D
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
V ISOL
F C
Weight
T C = 25 ° C
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10s
50/60 Hz, 1 Minute
Mounting Force
600
-55 ... +175
175
-55 ... +175
300
260
2500
20..120/4.5..27
5
W
° C
° C
° C
° C
° C
V~
N/lb.
g
Features
Silicon Chip on Direct-Copper Bond
(DCB) Substrate
Isolated Mounting Surface
2500V~ Electrical Isolation
Fast Intrinsic Diode
Avalanche Rated
Low Package Inductance
Advantages
Easy to Mount
Space Savings
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
High Power Density
BV DSS
V GS = 0V, I D = 3mA
200
V
Applications
V GS(th)
I GSS
V DS = V GS , I D = 8mA
V GS = ± 20V, V DS = 0V
3.0
5.0
± 200
V
nA
Synchronous Recification
DC-DC Converters
Battery Chargers
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS , V GS = 0V
V GS = 10V, I D = 60A, Note 1
T J = 150 ° C
50 μ A
3 mA
8.0 m Ω
Switch-Mode and Resonant-Mode
Power Supplies
DC Choppers
AC Motor Drives
Uninterruptible Power Supplies
High Speed Power Switching
Applications
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100234A(06/11)
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